介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

  介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。

  本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

1 特點(diǎn)：                            
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～60MHz介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生10kHz～60MHz, 100kHz～160MHz 測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～60MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）： tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

2.2 Q表

2.3 介質(zhì)損耗裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：
      916:Φ38mm和Φ50mm二種.
      914:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率： 0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性：  0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍： ±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距： 25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:  ≤2.5×10-4

2.4 電感器：
  按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。

2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購件）：
  在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性

它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理，以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值，電感量和分布電容量；電容器的電容量和損耗角。配以夾具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)（ε），高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。本Q表依照國家計(jì)量檢定規(guī)程：“JJF1073-2000高頻Q表校準(zhǔn)規(guī)范”執(zhí)行。

1 特點(diǎn)：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值讀取技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q。
◎ DPLL合成發(fā)生10kHz～60MHz,測(cè)試信號(hào)。
◎ 低至20nH殘余電感，保證高頻時(shí)直讀Q值的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ 數(shù)字化Q值預(yù)置，能提高批量測(cè)試的可靠性和速度。

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。

  本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

1 特點(diǎn)：                            
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在100kHz～160MHz介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生10kHz～60MHz, 100kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～60MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：tanδ：   0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：  tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 測(cè)試信號(hào)頻率范圍：10kHz～60MHz，數(shù)字合成，可數(shù)字設(shè)置或連續(xù)調(diào)節(jié)，五位有效數(shù)顯。
2.2 Q值測(cè)量范圍：1～1000四位數(shù)顯，分辨率0.1Q。分100、316、999三檔，量程可自動(dòng)切換。
2.3 Q值固有誤差：±5%±3% 滿刻度值。
2.4 有效電感測(cè)量范圍：0.1µH～1000mH。
2.5 電感測(cè)量誤差：≤5%±0.02µH
2.6 調(diào)諧電容特性：
2.6.1可調(diào)電容范圍：40pF～500 pF。
2.6.2 精確度：±1% 或0.5pF。
2.6.3微調(diào)電容器：-3pF～0～+3pF，分辨率：0.2pF
2.6.4殘余電感值：約30nH。
2.7 Q預(yù)置功能：Q預(yù)置范圍：1～1000均可。

BH916 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置（數(shù)顯）

   BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與C類Q表及電感器配用，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
  本測(cè)試裝置是由測(cè)微平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過公式計(jì)算得到。同樣，由平板電容器的刻度讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

1工作特性
1.1 平板電容器：
1.1.1 極片尺寸：
 c類-38：Φ38mm.
  c類-50：Φ50mm. 
1.1.2 極片間距可調(diào)范圍和分辨率：
  ≥8mm， ±0.002mm
1.2 夾具插頭間距：
  25mm±1mm
1.3夾具損耗角正切值
  ≤2.5×10-4

附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

線圈號(hào) 測(cè)試頻率         Q值   分布電容p     電感值
  9    100KHz          98     9.4          25mH
  8    400KHz         138    11.4        4.87mH
  7    400KHz         202    16          0.99mH
  6      1MHz         196    13          252μH
  5      2MHz         198     8.7       49.8μH
  4    4.5MHz         231      7          10μH
  3     12MHz         193     6.9       2.49μH
  2     12MHz         229     6.4      0.508μH
  1     25MHz 50MHz  233211   0.9      0.125μH

標(biāo)簽：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀 介質(zhì)損耗測(cè)試儀  介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀